「KABRAプロセス」
CEATEC AWARD 2017で審査委員特別賞を受賞
半導体製造装置メーカー・株式会社ディスコ（本社：東京都大田区、社長：関家一馬）の独自技術である「KABRAプロセス」が、「CEATEC AWARD 2017」の審査委員特別賞を受賞しました。
CEATEC JAPAN 2017ディスコブースにてKABRAプロセスによる加工サンプルや技術紹介パネルを展示しております。見学の際には、是非ディスコブースへお立ち寄りください。
CEATEC AWARD
CEATEC JAPAN 2017に展示される技術・製品・サービス等の中から、出展者が事前に応募した出展品について、「CEATEC AWARD 2017 審査委員会」が学術的・技術的観点、将来性や市場性等の視点から、イノベーション性が高く優れていると評価できるものを審査・選考し、表彰するものです。「審査委員特別賞」は各部門を横断して、審査委員会から特に推挙のあったものに対して授与される賞です。
CEATEC AWARD 2017審査委員会による選評
Φ4インチSiCインゴットからウェーハを切り出すまでの加工時間を、1枚あたり2時間前後から1枚あたり15分と大幅に短縮。また、ワイヤ加工で生じるうねりを抑制し、ラップ研削工程を不要にしたことで、イニシャルコスト、ランニングコストを大幅に低減した。インゴット1本あたりのウェーハ取り枚数を、従来比約1.5倍と飛躍的にコストパフォーマンスを高めたことを評価。
KABRAプロセスとは
レーザを連続的に照射することで、分離層（KABRA層）を任意の深さに形成し、このKABRA※層を起点に剥離・ウェーハ化するインゴットスライス加工。本プロセス導入により、次世代パワーデバイス素材として期待される炭化ケイ素（SiC）ウェーハ生産の高速化、取り枚数増を実現し、生産性を劇的に向上させることが可能になります。
※ Key Amorphous-Black Repetitive Absorption層の略。
詳しくは下記サイトをご覧ください。
https://www.disco.co.jp/kabra/index.html
当社はKABRAプロセスによって、省エネ社会を実現するSiCパワーデバイスの普及に貢献していきたいと考えています。
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株式会社ディスコ 広報室