レーザダイシング

アブレーション加工

微少なエリアに極短時間にレーザエネルギーを集中させることにより、固体を昇華・蒸発させる加工方法です。

ステルスダイシング^TM加工

レーザをワーク内部に集光することで内部に改質層を形成し、テープエキスパンド等にてチップ分割をおこなうダイシング手法です。

レーザによるサファイア加工

高輝度LEDは携帯電話向けのほか、液晶テレビのバックライトや車のヘッドライト、照明機器などへ応用範囲が広がり始め、中長期的な市場の拡大が予測されています。高輝度LEDに用いられるサファイアの加工は、従来はダイヤモンドスクライバなどを用いたブレーキングが主流でした。しかし、市場の拡大に伴ってスループット・歩留まり向上の要求が強まり、レーザによる加工が急速に普及し、高輝度LED用サファイア加工では主流のプロセスになりつつあります。 今回は、ディスコのレーザソーを用いたサファイア加工についてご紹介します。

DBG＋DAFレーザカット

DBG（Dicing Before Grinding）*1プロセスは、研削によりチップ分割することから裏面チッピングを低減でき、これによりチップ抗折強度も向上が可能です。また、研削終了段階でチップに分割されているため、特に薄仕上げ時のウェーハ破損リスク低減が期待できます。こうしたDBGプロセスに、DAF（Die Attach Film）*2を適用できるようになると、SiP（System in Package）など薄チップを積層するパッケージの製造にも、DBGプロセスの展開が可能になります。 DBGプロセスにDAFを適用する際には、チップ分割されたウェーハの裏面にDAFを貼り付け、再度DAFだけをカットする必要があります。この際のDAFカットをレーザフルカットにて行うアプリケーションを、今回ご紹介いたします。

レーザフルカットダイシング

高周波デバイスに使用されるGaAs（ガリウム砒素）などの化合物半導体は、従来のダイヤモンドブレードを使用したダイシング（以下: ブレードダイシング）では送り速度が遅く、高い生産性を得ることは困難でした。 またSiP (System in Package)などによる高集積化を背景に、抗折強度が高い薄チップの製造技術が必要となってきています。しかし、ブレードダイシングではウェーハの厚みが薄くなるのに伴い、ダイシングの難易度が増しています。 ディスコではこうした課題を解決するために、レーザソーDFL7161のレーザヘッドと光学系の最適化を図り、レーザによるフルカットアプリケーションを確立しました。

Low-kグルービング

高速ロジックの絶縁膜として使用されているLow-k膜は機械的強度が低く、一般的なブレードダイシングでは、膜剥がれが発生するリスクがありました。このLow-k膜含む配線層をレーザソーにより除去するのが、Low-kグルービングプロセスです。