ポリッシング

ドライポリッシング（ストレスリリーフ）

近年、コンピュータや携帯電話などに搭載されるICパッケージの小型化・高密度化に伴って、パッケージ内のデバイスにも小型化・薄化が求められてきています。デバイスウェーハを薄化することによって、チップ強度が弱まりアセンブリ工程で割れが発生したり、反り量が増大してスタックパッケージのダイボンディングなどが困難になることがあります。これらを改善する手法として、グラインディング工程後にストレスリリーフを導入する方法が考えられています。 ストレスリリーフとしては、主に以下の4手法がありますが、ここではドライポリッシングについてご紹介いたします。

DBG+ドライエッチング

ドライエッチングをDBGプロセスと組み合わせると、ブレードによるチップ側面ダメージも除去することが可能になり、通常のグラインダとの併用時よりもさらにチップ強度を向上させることが可能です。 また、このプロセスでは、ダイシング（チップ分割）後にストレスリリーフをするので、その後のダイシングによる機械的ダメージの発生はありません。 その結果ICカードなどのパッケージ後にも外部より応力がかかるデバイスなどの信頼性向上が期待できます。

ウェットポリッシング（CMPなど）

シリコンデバイスでは、ICパッケージの低背化・小型化に伴い内蔵チップの薄化が求められ、その強度向上のため、ウェーハ裏面研削後にストレスリリーフ工程が行われます。また、高輝度LED用サファイア基板（Al2O3）、高速通信機器SAWフィルタ用タンタル酸リチウム基板(LiTaO3)/ ニオブ酸リチウム 基板(LiNbO3)、パワーデバイス用 炭化ケイ素基板（SiC）などでは、デバイス性能向上のため裏面研削後に研磨工程が必要とされています。 一般的なCMP(Chemical Mechanical Polishing)装置はウェーハを上、研磨パッドを下に配置しているのに対し、ディスコの装置では研磨パッドを上、ウェーハを下に配置し送り軸を持っていることからその構造を「インフィードポリッシング」と命名し、ドライポリッシング(乾式研磨)とウェットポリッシング(CMPに代表される薬液を用いた湿式研磨)に採用しています。今回ご紹介するディスコのウェットポリッシングは、被加工物のスクラッチの低減や鏡面化、清浄性向上を実現します。また素材によっては、エピレディ※1仕上げを達成できます。