グラインディング

薄仕上げ研削

近年、携帯電話などのデジタル・モバイル機器に使用されるSiP（System in Package）などの普及に伴い、100 µm以下のウェーハ厚さを歩留まりよく実現する薄仕上げ研削技術が注目されています。ディスコではさまざまな装置･砥石・研削条件の組み合わせの中から、お客さまに合った最適な条件をご提案しております。 ここではディスコの最新の薄仕上げ研削技術をご紹介します。

TAIKO^®プロセス

「TAIKOプロセス」とは、従来のバックグラインディングとは異なり、ウェーハを研削する際、ウェーハ最外周のエッジ部分（約3 mm程度）を残し、その内周のみを研削して薄化する技術です。この技術の導入により、薄ウェーハの搬送リスク低減や反りの低減などが実現します。

SiCデバイスウェーハの研削

SiCウェーハ（silicon carbide、窒化ケイ素）は高耐圧、低電力損失の半導体材料として、パワーデバイスに用いられています。 SiCパワーデバイスは一般的に縦型のデバイス構造を有しており、ウェーハ薄化により基板抵抗が下がることでエネルギー変換効率が向上します。 しかし、SiCはSiと比べて硬度が高い難削材として知られており、薄化には専用のアプリケーションおよびホイールが必要です。