半導体製造装置メーカー・株式会社ディスコ（本社：東京都大田区、社長：関家一馬）は、レーザ加工によるインゴットスライス手法・KABRA(カブラ)プロセス用Φ8インチ対応レーザソー「DAL7440」を開発しました。

※1 取得済特許・出願中関連特許合計58件（2018年1月9日時点）／商標登録済（登録第5850324号）
※2 レーザを連続的に照射することで、分離層（KABRA層）を任意の深さに形成し、このKABRA層を起点に剥離・ウェーハ化するインゴットスライス加工。 KABRA＝Key Amorphous-Black Repetitive Absorptionの略。プロセス詳細はKABRAプロセス特設サイトをご覧ください。

開発の背景

近年、シリコンに代わるパワーデバイスの材料として、SiCが注目されています。当社はレーザ加工によるSiCインゴットスライス手法・KABRAプロセスを開発し、SEMICON Japan 2016にてΦ6インチ対応のKABRAプロセス用レーザソー「DAL7420」を公開いたしましたが、既にΦ8インチのサンプルウェーハが出荷されるなど、大径化に向けた開発が進んでおります。このような背景やウェーハメーカーからの強い要望を受け、Φ8インチインゴットのKABRAプロセスに対応したレーザソー「DAL7440」を開発しました。なお、DAL7440はアメリカ地域でのテスト加工に柔軟に対応すべく、当社アメリカ・ノースカロライナオフィスへ2018年3月に設置予定です。

DAL7440特徴

今後の予定