レーザソー出荷 累計2,000台を突破

株式会社ディスコ(本社:東京都大田区、社長:関家一馬)は、2002年に販売開始したレーザソーの累計出荷台数が2020年3月に2,000台を突破したことをお知らせいたします。なお、2014年7月に累計出荷1,000台を記録して以降、およそ2分の1の期間で2,000台の出荷に至っています。

主な背景

近年はスマートフォンなどのモバイル端末の普及と、それにともなうストレージやクラウドサーバの高容量化・動作高速化ニーズを背景に、NANDフラッシュメモリやイメージセンサなど半導体デバイスの微細化・高機能化が進みました。これらが要因となり、大手IDMやファウンドリ、アジア地域のOSATなどによる当社レーザソーの導入が加速しました。

  • クラウドサーバの高容量化と高密度実装ニーズに対応する薄メモリチップの製造に、SDBGプロセス※1が採用拡大
  • ロジック半導体やイメージセンサの微細化に必要な絶縁膜材料(Low-k材料)の除去に、レーザグルービングプロセス※2が広く採用
  • プロセス需要に加え、中国や東南アジアなど新興地域での設備投資が活発なことも、当社レーザソーの出荷増に寄与

今後も5GやIoT、自動運転技術などを成長ドライバーとし、中長期的には上記市場の進展が見込まれます。
加えて、新世代ディスプレイ光源として期待されるマイクロLEDおよび、殺菌・滅菌用途で採用が進む深紫外LEDなどの製造に用いられるレーザリフトオフ※3技術や、小チップ製造時のプラズマダイシング前処理工程に用いられるレーザパターニング※4など、当社レーザソリューションの適用分野はさらに拡大していく見込みです。

※1 SDBG: Stealth Dicing Before Grindingプロセス。ステルスダイシング(レーザを被加工物の内部に集光させ、内部改質層を形成する加工)後に裏面研削を行うことでチップ分割する手法
※2 レーザグルービング:被加工物の上面にレーザを照射して、ストリート上の表面絶縁膜(Low-k膜)を除去する加工方法。膜を除去したのち、ブレードダイサで個片化するプロセスが主流
※3 レーザリフトオフ:基板上に形成された材料層にレーザを照射し、基板から材料層を剥離するプロセス
※4 レーザパターニング:有機材料などのマスク層が貼り付けられているシリコンウエハーのストリート部にレーザを照射し、有機材料を除去した箇所にプラズマダイシングすることでチップ分割する手法

DFL7161
DFL7161
(グルービング対応機)
DFL7362
DFL7362
(ステルスダイシング対応機)
DFL7560L
DFL7560L
(レーザリフトオフ対応機)

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株式会社ディスコ 広報室


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