ステルスダイシング™は、レーザを加工対象の内部に集光することで照射箇所に改質層を形成し、外部応力を加えてチップ分割をおこなうダイシングプロセスです。ロジックやメモリなどの一般的な半導体は、比較的大きなチップサイズのため、ダイシングテープをエキスパンドすることで、割断を行います。
一方、LEDディスプレイデバイスや、アナログデバイス、高周波デバイスなどでは、チップサイズが1mm以下のものもあり、テープエキスパンドによる割断は困難でした。また、板状のツールを押し当てて1ラインずつブレーキングする従来の方式では、高歩留まりが期待できる反面、スループットが課題でした。
DDS2030は新開発の「ローラーブレーキング方式」を採用し、これら小チップなデバイスの安定的な割断を、高スループットで実現します。