웨트 폴리싱/Wet Polishing (CMP 등)

솔루션

실리콘 디바이스에서는 IC패키지의 저배화와 소형화에 따라 내장칩의 박화가 요구되고 있어, 강도 향상을 위해 웨이퍼의 이면 연삭 후 스트레스 릴리프 공정을 실시하고 있습니다. 또한, 고휘도의 LED용 사파이어 기판(Al2O3), 고속통신기기 SAW 필터용 탄탈 산 리튬(LiTaO3)/니오브 산 리튬 기판(LiNbO3), 파워 디바이스용 탄화 규소 기판(SiC)등에서는 디바이스의 성능향상을 위해 이면 연삭 후 연마공정이 필요합니다.

일반적인 CMP(Chemical Mechanical Polishing)장치는 웨이퍼를 위쪽, 연마 패드를 아래쪽에 배치하는 것에 비해, DISCO의 장치에서는 연마 패드를 위쪽, 웨이퍼를 아래쪽에 배치하면서 이송축을 가지고 있습니다. 이러한 구조를 '인필드 폴리싱'으로 명명하여, 드라이 폴리싱(건식연마)와 웨트 폴리싱/Wet Polishing(CMP로 대표되는 약품을 사용한 습식 연마)에 사용 하고 있습니다. 이번에 소개하는 DISCO의 웨트 폴리싱(Wet Polishing)은 피가공물의 스크래치의 저감 및 경면화와 세정력의 향상을 실현합니다. 또한, 소재에 따라 에피 레디(Epi Ready)^※ 마무리 연삭이 가능합니다.

※ Epi Ready：에피택시얼 성장(Epitaxial Growth)에 대응 가능한 면 및 재료

특징

저부하, 고회전 연마

주요 효과

경면 마무리 가공
높은 세정력
소재에 의한 스크래치가 적고, Epi Ready 마무리 연삭이 가능

어플리케이션 예시

웨이퍼 메이크(기판의 제조공정)에 의한 연마
- 탄화 규소(SiC)
- 사파이어(Al₂O₃)
- 탄탈 산 리튬 (LiTaO₃) /니오브 산 리튬(LiNbO₃)
연삭 후의 스트레스 릴리프
- 실리콘(Si)
- 사파이어(Al₂O₃)
- 탄탈 산 리튬 (LiTaO₃) /탄탈 산 리튬 (LiTaO₃) on 실리콘(Si)
- 갈륨 비소(GaAs)
- 인화 인듐 (InP)
Cu-Cu 본딩 전의 연마
실리콘(Si)웨이퍼의 재생 가공