シリコンデバイスでは、ICパッケージの低背化・小型化に伴い内蔵チップの薄化が求められ、その強度向上のため、ウェーハ裏面研削後にストレスリリーフ工程が行われます。また、高輝度LED用サファイア基板（Al₂O₃）、高速通信機器SAWフィルタ用タンタル酸リチウム基板(LiTaO₃)/ ニオブ酸リチウム 基板(LiNbO₃)、パワーデバイス用 炭化ケイ素基板（SiC）などでは、デバイス性能向上のため裏面研削後に研磨工程が必要とされています。
一般的なCMP(Chemical Mechanical Polishing)装置はウェーハを上、研磨パッドを下に配置しているのに対し、ディスコの装置では研磨パッドを上、ウェーハを下に配置し送り軸を持っていることからその構造を「インフィードポリッシング」と命名し、ドライポリッシング(乾式研磨)とウェットポリッシング(CMPに代表される薬液を用いた湿式研磨)に採用しています。今回ご紹介するディスコのウェットポリッシングは、被加工物のスクラッチの低減や鏡面化、清浄性向上を実現します。また素材によっては、エピレディ^※1仕上げを達成できます。

※1 エピレディ：エピタキシャル成長に対応できる面、材料

特徴

• 低負荷、⾼回転での研磨

主な効果

• 鏡⾯仕上げ加⼯
• ⾼い清浄性
• 素材により、スクラッチが少なく、エピレディ（Epi Ready）仕上げを達成

アプリケーション例

• ウェーハメイク（基板の製造⼯程）における研磨

  • 炭化ケイ素（SiC）
  • サファイア（Al₂O₃）
  • タンタル酸リチウム (LiTaO₃) / ニオブ酸リチウム(LiNbO₃)
• 研削後のストレスリリーフ

  • シリコン(Si)
  • サファイア（Al₂O₃）
  • タンタル酸リチウム (LiTaO₃) / タンタル酸リチウム (LiTaO₃) on シリコン(Si)
  • ガリウムヒ素(GaAs)
  • インジウム燐(InP)
• Cu-Cuボンディング前の研磨
• シリコン(Si)ウェーハの再⽣加⼯

加⼯対応装置

お客様の使⽤環境に合わせることのできる⾼い拡張性と、幅広いアプリケーションを実現する機能を備えたラインナップを取り揃えています。

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  DFP8141

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  DGP8761

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  DAG810 特殊仕様

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