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Wet Polishing(CMP等)

解决方案

对于Silicon Device,伴随着IC Package扁平化,小型化的发展,内置芯片也越来越薄,为了提高其强度,晶圆背面研削后需进行应力释放。此外,诸如用于高亮度LED的蓝宝石衬底(Al2O3),用于高速通信设备SAW滤波器的钽酸锂衬底(LiTaO3)/铌酸锂衬底(LiNbO3),以及用于功率器件的碳化硅衬底(SiC)等等,都需要在背面研削后进行抛光,以提高Device性能。
一般的CMP (Chemical Mechanical Polishing)设备是把晶圆置于上方,抛光Pad置于下方,相比之下,迪思科的设备则是把抛光Pad置于上方,晶圆放置在下方的配置,因持有进给轴的构造所以被命名为“Infeed Polishing进给式抛光”,应用于Dry Polishing(干式抛光)和Wet Polishing(使用以CMP为代表的药液湿法抛光)。本期向您介绍的迪思科Wet Polishing可减少加工物表面的划痕,并提高镜面效果和清洁度。另外,根据材料不同,也可达到Epi Ready*1的效果。

*1 Epi Ready:可对应Epitaxy外延的面,材料

应力消除方法概要
图1. 应力消除方法概要

Wet Polishing工序的特点

  • 低负载,高转速的抛光
Processing image of wet polishing
图2. 湿式拋光的加工示意图

Wet Polishing工序的主要效果

  • 镜面加工
  • 高清洁度
  • 根据素材不同,能够减少划痕,可达到Epi Ready效果

应用案例

  • 晶圆制造(衬底的制造工序)抛光
    • Silicon carbide(SiC)
    • Sapphire(Al2O3)
    • Lithium tantalite (LiTaO3) / Lithium niobate(LiNbO3)
  • 研削后的应力释放
    • Silicon(Si)
    • Sapphire(Al2O3)
    • 钽酸锂(LiTaO3) / 铌酸锂 (LiTaO3) on 硅(Si)
    • Gallium arsenide(GaAs)
    • Indium phosphide(InP)
  • Cu-Cu键合前抛光
  • 硅(Si)晶圆的再生加工
Polishing rate with wet polishing
图3. 湿式拋光的抛光率

对应设备

我们的产品阵容具备高度可扩展能力,可匹配用户不同的操作环境,并可实现广泛应用。


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