对于Silicon Device，伴随着IC Package扁平化，小型化的发展，内置芯片也越来越薄，为了提高其强度，晶圆背面研削后需进行应力释放。此外，诸如用于高亮度LED的蓝宝石衬底(Al₂O₃)，用于高速通信设备SAW滤波器的钽酸锂衬底(LiTaO₃)/铌酸锂衬底(LiNbO₃)，以及用于功率器件的碳化硅衬底(SiC)等等，都需要在背面研削后进行抛光，以提高Device性能。
一般的CMP (Chemical Mechanical Polishing)设备是把晶圆置于上方，抛光Pad置于下方，相比之下，迪思科的设备则是把抛光Pad置于上方，晶圆放置在下方的配置，因持有进给轴的构造所以被命名为“Infeed Polishing进给式抛光”，应用于Dry Polishing(干式抛光)和Wet Polishing(使用以CMP为代表的药液湿法抛光)。本期向您介绍的迪思科Wet Polishing可减少加工物表面的划痕，并提高镜面效果和清洁度。另外，根据材料不同，也可达到Epi Ready^*1的效果。

*1 Epi Ready：可对应Epitaxy外延的面，材料

Wet Polishing工序的特点

• 低负载，高转速的抛光

Wet Polishing工序的主要效果

• 镜面加工
• 高清洁度
• 根据素材不同，能够减少划痕，可达到Epi Ready效果

应用案例

• 晶圆制造(衬底的制造工序)抛光

  • Silicon carbide(SiC)
  • Sapphire(Al₂O₃)
  • Lithium tantalite (LiTaO₃) / Lithium niobate(LiNbO₃)
• 研削后的应力释放

  • Silicon(Si)
  • Sapphire(Al₂O₃)
  • 钽酸锂(LiTaO₃) / 铌酸锂 (LiTaO₃) on 硅(Si)
  • Gallium arsenide(GaAs)
  • Indium phosphide(InP)
• Cu-Cu键合前抛光
• 硅(Si)晶圆的再生加工

对应设备

我们的产品阵容具备高度可扩展能力，可匹配用户不同的操作环境，并可实现广泛应用。

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  DFP8141

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  DGP8761

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  DAG810 特殊仕样

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