그라인딩

초박형 웨이퍼 마무리 연삭(Ultra-Thin Grinding)

최근 휴대폰 등의 디지털 모바일기기에 사용되는 SiP(System in Package)등의 보급에 따라, 100 µm 이하의 웨이퍼 두께로 제품의 효율을 좋게 실현하는 박화 연삭기술이 주목 받고 있습니다. DISCO에서는 다양한 장치・절삭가공 툴・연삭조건의 조합으로 고객에게 맞는 최적의 조건을 제안하고 있습니다. DISCO의 최신 박화(Thinning) 마무리 연삭기술을 소개합니다.

TAIKO^®프로세스

TAIKO프로세스는 이전까지의 백그라인딩과는 다르게, 웨이퍼를 연삭할 때에 웨이퍼의 외주의 엣지부분(약 3 mm정도)을 남기고 내주만을 연삭하여 박화(Thinning)하는 기술입니다.

SiC디바이스 웨이퍼의 그라인딩

SiC웨이퍼（silicon carbide、질화 규소）는 고내압, 저전력 손실의 반도체 재료로서 파워 디바이스에 사용되고 있습니다. SiC파워 디바이스는 일반적으로 세로형 디바이스 구조를 가지고 있으며, 웨이퍼가 얇아지는 현상으로 인하여 기판 저항이 내려감으로서 에너지 변환 효율이 향상됩니다. 하지만 SiC는Si와 비교하여 경도가 높은 난삭제로 알려져있으며 얇아지기 위해서는 전용 어플리케이션 및 휠이 필요합니다.