矽晶圓元件隨著IC封裝短小化，薄型化，內置晶粒也需要跟著薄化，因此為了提高強度，晶圓背面研磨後會進行應力釋放的製程。此外，用於高輝度LED藍寶石基板(Al₂O₃)，高速通訊設備SAW等濾波用的鉭酸鋰基板(LiTaO₃)/鈮酸鋰基板(LiNbO₃)和用於功率元件的碳化矽基板(SiC)等，為了提升元件效能，背面研磨後會進行拋光。
在一般CMP(Chemical Mechanical Polishing, 化學機械拋光)設備中，為晶圓於上方研磨墊於下方放置的構造，迪思科設備則是以研磨墊於上方晶圓於下方的構置，並具有進給軸的構造，因而命名為「進給拋光(In-feed)研磨」，使用在Dry Polishing(乾式研磨)和Wet Polishing(具代表性的有使用藥液的CMP濕式拋光)。此次將介紹迪思科的濕式拋光，它除了可減少刮痕，鏡面化也提高了潔淨度。另外，依據材質也可達到Epi ready^*1面的表面優化。

*1 Epi-ready：可對應磊晶成長的表面和材料

濕式拋光製程的特點

• 低負荷，高轉速拋光

濕式拋光製程的效果

• 鏡面優化加工
• 高潔淨度
• 根據材質，刮痕少，可實現Epi-ready的表面

應用範例

• 用於晶圓製造(基板製造工程)的研磨

  • 碳化矽Silicon carbide(SiC)
  • 藍寶石Sapphire(Al₂O₃)
  • 鉭酸鋰 (LiTaO₃) / 鈮酸鋰(LiNbO₃)
• 研磨後的應力釋放

  • 矽 (Si)
  • 藍寶石基板(Al₂O₃)
  • 鉭酸鋰 (LiTaO₃) / 矽上的鉭酸鋰 (LiTaO₃) on シリコン(Si)
  • 砷化鎵 (GaAs)
  • 磷化銦 (InP)
• Cu-Cu bonding前拋光
• 矽(Si) 晶圓的再生加工

可對應的機台

我們備有各式各樣的設備陣容，可配合客戶使用環境的高擴充性和實現廣泛應用的功能。

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  DFP8141

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  DGP8761

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  DAG810 特殊規格

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