抛光

干式抛光法(消除应力方法)

近年来，随着电脑、手机等电子产品中的IC半导体封装元件越来越趋向于小型化、高集成化，市场也要求半导体封装元件中的电子元器件朝着更小型化、更薄型化方向发展。但是，由于对电子元件晶片实施薄型化加工，会造成芯片因强度降低而在组装工序中出现破损、以及因翘曲增大而使层叠式封装元件的接线头接合变得困难。 因此、为了消除上述的各种不良因素，有效地改善加工质量，可以考虑在研削加工工序后导入应力消除加工方法。 应力消除加工方法，主要有以下4种，在这里将具体介绍干式抛光法。

DBG+干式刻蚀

将干式刻蚀法与DBG工艺组合使用，不但可以去除因磨轮刀片而造成的芯片侧面加工变质层，而且与通常的研削机组合使用时相比，还能够进一步提高芯片的抗折强度。 另外，在本工艺流程中，由于在切割工序之后(分割成芯片)实施消除应力加工，所以不会产生因切割加工而造成的加工变质层。 因此，可大大提高那些在半导体封装工序后需承受外部加工应力的类似IC卡等电子元件的可信度。

Wet Polishing(CMP等)

对于Silicon Device，伴随着IC Package扁平化，小型化的发展，内置芯片也越来越薄，为了提高其强度，晶圆背面研削后需进行应力释放。此外，诸如用于高亮度LED的蓝宝石衬底(Al2O3)，用于高速通信设备SAW滤波器的钽酸锂衬底(LiTaO3)/铌酸锂衬底(LiNbO3)，以及用于功率器件的碳化硅衬底(SiC)等等，都需要在背面研削后进行抛光，以提高Device性能。 一般的CMP (Chemical Mechanical Polishing)设备是把晶圆置于上方，抛光Pad置于下方，相比之下，迪思科的设备则是把抛光Pad置于上方，晶圆放置在下方的配置，因持有进给轴的构造所以被命名为“Infeed Polishing进给式抛光”，应用于Dry Polishing(干式抛光)和Wet Polishing(使用以CMP为代表的药液湿法抛光)。本期向您介绍的迪思科Wet Polishing可减少加工物表面的划痕，并提高镜面效果和清洁度。另外，根据材料不同，也可达到Epi Ready*1的效果。