拋光

乾式拋光法(消除應力方法)

近年來，隨著電腦、手機等電子產品中的IC半導體封裝元件越來越趨向於小型化、高集成化，市場也要求半導體封裝元件中的電子元器件朝著更小型化、更薄型化方向發展。但是，由於對電子元件晶片實施薄型化加工，會造成晶粒因強度降低而在組裝工程中出現破損、以及因翹曲增大而使層疊式封裝元件的接線頭接合變得困難。因此、為了消除上述的各種不良因素，有效地改善加工品質，可以考慮在研磨加工工程後導入應力消除加工方法。 應力消除加工方法，主要有以下4種，在這裡將具體介紹乾式拋光法。

DBG+乾式蝕刻

將乾式蝕刻法與DBG製程組合使用，不但可以去除因切割刀片而造成的晶片側面加工變質層，而且與通常的研磨機組合使用時相比，還能夠進一步提高晶片的抗折強度。 另外，在本製程流程中，由於實施消除應力加工在切割工程之後（分割成晶粒），所以不會產生因切割加工而造成的加工變質層。 因此，針對某些在晶粒封裝工程後的產品，類似IC卡等電子元件，使用時必須承受外部應力，此可大大提高那些產品的可信度。

濕式拋光(如CMP等等)

矽晶圓元件隨著IC封裝短小化，薄型化，內置晶粒也需要跟著薄化，因此為了提高強度，晶圓背面研磨後會進行應力釋放的製程。此外，用於高輝度LED藍寶石基板(Al2O3)，高速通訊設備SAW等濾波用的鉭酸鋰基板(LiTaO3)/鈮酸鋰基板(LiNbO3)和用於功率元件的碳化矽基板(SiC)等，為了提升元件效能，背面研磨後會進行拋光。 在一般CMP(Chemical Mechanical Polishing, 化學機械拋光)設備中，為晶圓於上方研磨墊於下方放置的構造，迪思科設備則是以研磨墊於上方晶圓於下方的構置，並具有進給軸的構造，因而命名為「進給拋光(In-feed)研磨」，使用在Dry Polishing(乾式研磨)和Wet Polishing(具代表性的有使用藥液的CMP濕式拋光)。此次將介紹迪思科的濕式拋光，它除了可減少刮痕，鏡面化也提高了潔淨度。另外，依據材質也可達到Epi ready*1面的表面優化。