최근, 특히 모바일 제품용 SIP(System In Package), IC카드, RFID태그 등의 본격적인 도입에 따라 반도체 시장에서는 50 µm이하 두께의 제품이 실용화되고 있습니다. 최종 제품의 수요와 함께 박형 웨이퍼(Thin Wafer)를 가공하는 기술의 중요성도 더욱 높아지고 있습니다. 박형 웨이퍼(Thin Wafer)를 가공함에 있어서, 종래의 가공기술로서는 고객이 요구하는 가공결과를 제대로 얻지 못하는 문제의 해결에 일조하기 위하여, DISCO에서는 어플리케이션과 절삭가공 툴(블레이드)의 연구개발에 적극적으로 임하고 있습니다.

블레이드(Blade)

피절삭재가 얇아지면, 이면 칩핑이 커지는 경향이 있습니다. 사진1, 2는 25 µm의 실리콘 웨이퍼(표면 드라이 폴리싱으로 연마)를 가공한 이면 칩핑 사진입니다. 사진1은 종래의 웨이퍼 두께로 사용되고 있는 일반적인 연마용 입자 사이즈의 블레이드(#2000)로 가공한 것으로, 이면 칩핑이 눈에 띕니다. 반면, 사진2는 파인 메쉬(Fine Mesh) 연마용 입자를 사용한 블레이드(#4800)로 가공한 것입니다. 박형 웨이퍼(Thin Wafer)의 표면 칩핑에 대한 대책으로써 파인 메쉬 연마용 입자를 이용한 블레이드를 사용하는 등, 피절삭재인 웨이퍼에 충격을 저감하는 것이 포인트가 되고 있습니다.(그래프1 참조)
파인 메쉬 블레이드에 대한 상세한 문의사항은 영업담당에 문의 바랍니다.

• 사진1:일반 메쉬 블레이드(#2000)

  

• 사진2:파인 메쉬(Fine Mesh) 블레이드(#4800)

  

가공조건

기타(쇼트 커프 체크(Short Kerf Check)기능): 특허 신청 중

일반적으로 커프 체크(Kerf Check)를 할 때에는 Z1블레이드와 Z2블레이드가 단독으로 다른 곳을 커팅합니다.(동시에 커프 체크를 하면, Z2블레이드의 커프 체크가 어려움) 그러나, 원래대로라면 웨이퍼의 표면을 커팅하지 않은 Z2블레이드가 커프 체크시에 표면을 커팅하므로, 표면의 TEG나 막에 의해 데미지를 입혀 이면 칩핑이 커지는 경향이 있습니다. 이런경우에, 쇼트 커프 체크(Short Kerf Check)기능을 사용하여 이면 칩핑 발생을 억제할 수 있습니다. 커프 체크시에 Z2블레이드가 커팅하는 스트로크(stroke)를 짧게 제어할 수 있으므로 블레이드에 주는 데미지를 최소화 할 수 있습니다.
블레이드, 가공조건에 더하여 쇼트 커프 체크기능을 사용하여 고품질의 박형 웨이퍼(Thin Wafer) 가공이 가능합니다.

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