DFP8160Fully Automatic Polisher
实现不使用化学制剂应力释放的Φ300 mm干式抛光机
- Φ300 mm
- 1 axis, 1 chuck table
- Wafer Thinning
- Stress Releaf
提高薄型晶圆的良品率
DFP8160是完全不使用研磨液(Slurry)就可以去除晶圆背面损伤层（应力释放， Stress Relief ） ，可对应Φ300 mm晶圆的干式抛光的设备。即能够防止圆晶碎裂及翘曲，增加芯片的抗弯强度，提高良品率，又能够减少环境负荷。
可与现有的研削机联机(In-Line)运行
DFP8160可与现有的研削机整合联机（可现场改装）， 利用与DFG8560的联机功能（特殊选配），可以安全地进行设备之间的晶圆搬送。
降低环境负荷
因为是干式抛光加工，所以没有处理湿式刻蚀或CMP加工时所需的化学药品的程序。因此既降低了环境负荷，又有助于减少用户的运行成本。
操作简便
配置了触摸式液晶显示器及GUI （Graphical User Interface），提高了操作便利性。控制画面可同步显示加工状况和设备状态，操作人员只要触摸控制画面上的按钮，就可以简单地完成操作。更便利于日常设备操作和维修保养时的操作。
Specifications
| Specification | Unit | DFP8160 | |
|---|---|---|---|
| Supported workpiece size | - | Φ200, 300 mm (Select one size) | |
| Polishing Method | - | Anomalous In-feed grinding with wafer rotation | |
| Wheel | - | Φ450 mm Dry Polishing Wheel | |
| Chuck table type | - | Porous chuck table | |
| Chuck-method | - | Vacuum | |
| Number of revolutions | min‐1 | 0 ～ 300 | |
| Chuck table cleaning | - | Water & air thrust up, Leveling stone and brush cleaning | |
| Spindle | Rated output | kW | 7.5 | Rotation speed range | min‐1 | 1,000 ～ 3,000 |
| Internal load sensor | - | Thin force sensor | |
| Spinner unit | - | Wafer washing and drying by atomizing nozzle | |
| Equipment dimensions (W×D×H) | mm | 1,400 × 3,322 × 1,800 | |
| Equipment weight | kg | Approx.2,400 | |
※为了改善，机器的外观，特征，规格等本公司可能在未预先通知用户的情况下实施变更。
※使用时，请先确认标准规格书。
Product Lineup
| Machine type |
| Spindle |
| C/T |
| Machine dimentions（W × D × H） |
| Machine weight（kg） |
 |  |  |
| DFP8140 | DFP8141 | DGP8761 |
| 全自动 | 全自动 | 全自动 |
| 1 | 1 | 3 |
| 1 | 2 | 4 |
| 1,200 × 2,670 × 1,800 | 900 × 2,584 × 2,000 | 1,690 × 3,315 × 1,800 |
| 1,900 | 3,100 | 6,700 |