研削

减薄精加工研削

近年，随着在移动电话等数字式，移动式小型电器中SiP（System in Package）等电子元件的使用日趋普及，在保持高成品率的条件下，针对厚度在100 µm以下晶片的减薄精加工研削技术正在日益受到市场的瞩目。迪思科公司通过对各种各样的设备，磨轮以及研削条件进行不同的组合，能够向客户提供最符合要求的加工条件。 在这里将向大家介绍迪思科公司最新开发的减薄精加工研削技术。

TAIKO^®工艺

TAIKO工艺，于以往的背面研削不同，在对晶圆进行研削时，将保留晶圆外围边缘部分（约3 mm左右），只对圆内进行研削薄型化的技术。

SiC器件晶圆的研削

SiC晶圆（silicon carbide，碳化硅）作为高耐压、低功率损耗的半导体材料，广泛用于功率器件。 SiC功率器件一般具有垂直型器件结构，通过减薄其晶圆的厚度可以降低衬底基板的电阻从而提高能量转换效率。 但相较于Si，SiC硬度更高是众所周知的难以研削的材料，减薄加工需要使用专用的工艺和磨轮。