加工对象: Silicon wafer, etc
随着晶圆的超薄化发展,存在着降低外质吸杂效果的威胁。Gettering DP采用迪思科独创的干式抛光工艺,通过去除内部应力,即提高了芯片抗弯强度又维持了外质吸杂功能。由于干式抛光工艺不使用化学药品,在减轻环境负荷的同时,与使用研磨液以及化学药品的抛光工艺相比,能够以更简便的操作完成薄片晶圆的研磨。
根据用途,可提供2种类型的GetteringDP 。与标准的GA类型相比,因为MZ类型的DP磨轮更能提高晶圆的抗弯强度,所以能够实现更薄的晶圆抛光加工。但是,MZ类型需要根据加工物的不同,详细选定加工条件,具体详情请咨询本公司的销售人员。
GA*** type | 标准型GetteringDP |
MZ*** type | 与GA类型相比,提高了抗弯强度,能够实现更薄的晶圆抛光加工 |
* Finish thickness: 25 µm Process: DBG (Dicing Before Grinding)
于研磨后的镜面晶圆经强制污染后从反面析出的Cu浓度高于1.0E11的结果相比, Gettering DP研磨后的晶圆从反面析出的Cu浓度却低于检出下限值, 由此可知Gettering DP面具有外质吸杂效果。
为了定量测定外质吸杂效果, 将经过Cu强制污染的样本以350 ℃加热3小时后,使用TXRF(全反射式X光荧光光谱仪)进行分析。以Gettering DP的研磨晶圆为例, 研磨面经过Cu强制污染并扩散后,使用TXRF分析反面(镜面)析出的Cu量。
※0.5E10 atoms/cm2以下为检出极限。
下订单时
在下订单时,请用户将产品型号名称、各种尺寸等资讯及所需数量通知本公司。另外在初次订购时,本公司销售窗口会根据不同加工要求,协助用户选择合适的产品。届时请提供切割材料、尺寸、形状、及使用设备之型号等相关资讯。
※ 为了改进产品,本公司可能在未通知用户的情況下,就对产品规格进行变更,因此请仔细核对规格后再下订单。
为了安全使用本公司的各种产品
为了预防发生因研削磨轮、切割刀片(以下通称精密加工冶具)的破损而造成的各种事故和人身伤害,请严格遵守下列各注意事项。