加工對象: Silicon wafer, etc
隨著晶圓的超薄化發展,存在著降低外質吸雜效果的威脅。Gettering DP採用迪思科獨創的乾式拋光工藝,通過去除內部應力,即提高了芯片抗彎強度又維持了外質吸雜功能。由於乾式拋光工藝不使用化學藥品,在減輕環境負荷的同時,與使用研磨液以及化學藥品的拋光工藝相比,能夠以更簡便的操作完成薄片晶圓的研磨。
根據用途,可提供2種類型的GetteringDP 。與標準的GA類型相較,MZ類型的DP磨輪能提高晶圓的抗彎強度,因此能夠實現更薄的晶圓拋光加工。然而,MZ類型需要根據加工物,進一步選擇研磨條件,若有MZ類型需求的情況,請洽詢本公司的銷售人員。
GA*** type | 標準型Gettering DP |
MZ*** type | 與GA類型相比提高了抗折強度,是能夠實現更薄的晶圓拋光加工的Gettering DP |
* Finish thickness: 25 µm Process: DBG (Dicing Before Grinding)
與鏡面晶圓經強制污染後從反面析出的Cu濃度在1.0E11以上的結果相比,Gettering DP研磨後的晶圓從反面析出的Cu濃度在檢出的極限值以下, 由此可知Gettering DP具有外質捉聚的效果。
為了定量測定外質吸雜效果, 將經過Cu強制污染的樣本以350 ℃加熱3小時後,使用TXRF(全反射式X光熒光光譜儀)進行分析。以Gettering DP的研磨晶圓為例, 研磨面經過Cu強制污染并擴散後,使用TXRF分析反面(鏡面)析出的Cu量。
※0.5E10 atoms/cm2以下為檢出極限。
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