DAF(Die Attach Film)付き薄ウェーハの分割プロセスには、フルカットダイシング時の切断面に発生するDAFバリや、ダイボンディング時のピックアップ不良などの課題があります。DDS2300をダイシング工程に採用することでDAFの切断品質が向上し、これらの課題の改善が可能です。
薄チップ製造に適したDBG(Dicing Before Grinding)プロセスにDAFを適用する場合、チップ分割後の裏面にDAFを貼り付けた後、DAFのみを切断する工程が必要です。従来のレーザ加工によってDAFのみを切断する方法は、表面保護膜溶液などの消耗品が必要な場合があります。DDS2300を採用することでレーザによるDAF切り込み量を抑え、加工屑を低減することが可能となるため、消耗品コストの大幅な低減が期待できます。
ステルスダイシング加工にて内部に改質層を形成したウェーハのチップ分割を、安定して実現します。DAF付き薄ウェーハのステルスダイシング加工時に、特に有効なプロセスとなります。
DAFを安定分割するため、クールエキスパンド方式を採用。低温領域で脆性化するDAF特性を踏まえ、低温環境下でエキスパンドをおこなうことで、高品質なDAFの分割を実現します。
エキスパンド後、ダイシングテープの外周部分に生じるたるみを、ヒートシュリンクにて解消。テープの貼り替えをおこなわずに、テープフレームのままダイボンディング工程への搬送が可能です。
仕様 | 単位 | ||
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最大ワークサイズ | mm | Φ300 | |
クーラーエキスパンドステージ | 温度設定範囲 | ℃ | 0 または -5(固定) (工場出荷時設定) |
最大突き上げ量 | mm | 30 | |
突き上げ量 設定範囲 | mm | 0 ~ 30(ステップ 0.001) | |
最高突き上げ速度 | mm/s | 400 | |
突き上げ速度 設定範囲 | mm/s | 0.001 ~ 400(ステップ 0.001) | |
ヒートシュリンクステージ | 温風 温度設定範囲 | ℃ | 200 or 220 or 250(選択) |
最大突き上げ量 | mm | 20 | |
突き上げ量 設定範囲 | mm | 0 ~ 20(ステップ 0.001) | |
最高突き上げ速度 | mm/s | 50 | |
突き上げ速度 設定範囲 | mm/s | 0.001 ~ 50(ステップ 0.001) | |
装置寸法(W × D × H) | mm | 1,200 × 1,550 × 1,800 | |
装置重量 | kg | 約900 |
※ ご使用にあたっては、あらかじめ標準仕様書をご確認下さい。
※ 各事項、および仕様は改良のため、断りなく変更することがあります。
ご質問・ご相談等ございましたら、お気軽にお問い合わせ下さい。