在有DAF(Die Attach Film)的薄晶圆分割工艺中,全切割时会面临切割面上发生DAF毛边(Burr), 或在贴片工艺时发生pick up不良等课题。在切割工艺中采用DDS2300可提高DAF的切割品质,可改善以上课题。
在适合于薄芯片制造的DBG(Dicing Before Grinding)工艺中使用DAF时,在已被分割成芯片的背面粘贴DAF之后,需要只切割DAF的工艺。用以往的激光加工方法切断DAF时,需要表面保护溶液等消耗品。采用DDS2300可抑制激光对DAF的切割深度,以减少加工碎屑,有望大幅度地降低消耗品的成本。
可实现对隐形切割后在内部形成变质层的晶圆进行稳定的芯片分割。
这是对粘贴有DAF的薄晶圆进行隐形切割时,特别有效的制程工艺。
为稳定地分割DAF而采用冷扩片方式。利用DAF在低温时会脆化的特性,在低温的环境下进行扩展,实现高品质的DAF分割。
通过热收缩可消除扩展后在切割胶带外围所产生的松弛。不必重新贴换胶膜,可直接将胶膜框架送往贴片工序(die bonding process)。
Specification | Unit | ||
---|---|---|---|
Max. workpiece size | mm | Φ300 | |
Cooler stage | Temperature setting range | ℃ | 0 or -5 (fixed) (setting when shipped from the Plant) |
Max. upthrust amount | mm | 30 | |
Upthrust amount setting range | mm | 0 ~ 30 (step 0.001) | |
Max. upthrust speed | mm/s | 400 | |
Upthrust speed setting range | mm/s | 0.001 ~ 400 (step 0.001) | |
Heat shrink stage | Hot air temperature setting range | ℃ | 200 or 220 or 250 (selective) |
Max. upthrust amount | mm | 20 | |
Upthrust amount setting range | mm | 0 ~ 20 (step 0.001) | |
Max. up thrust speed | mm/s | 50 | |
Upthrust speed setting range | mm/s | 0.001 ~ 50 (step 0.001) | |
Equipment dimensions (W×D×H) | mm | 1,200 × 1,550 × 1,800 | |
Equipment weight | kg | Approx.900 |
※为了改善,机器的外观,特征,规格等本公司可能在未预先通知用户的情况下实施变更。
※使用时,请先确认标准规格书。