ステルスダイシング加工後のウェーハ分割を、高歩留まり・高スループットで実現するため、エキスパンドとブレーキングを一台で対応します。
※ レーザをワーク内部に集光することで内部に改質層を形成し、テープエキスパンド等にてウェーハ分割をおこなうダイシング手法。ICタグやラインセンサー等の小チップ・長尺チップデバイスのストリートリダクションに有効です。
チップサイズに関わらず一定速度でのウェーハ分割が可能なスキャンブレーキングの採用により、毎ライン停止しながらブレーキングをおこなう三点曲げブレーキングに比べ、分割時間を短縮できます。
ウェーハ | Φ8 inch, 厚さ0.1 mm |
Siチップサイズ | 0.5 × 0.5 mm |
※ 数値は当社実測値
※ 加工時間は一例であり、全ての条件において結果を保証するものではありません
仕様 | 単位 | |
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最大ワークサイズ | - | Φ8 inch |
対応チップサイズ | mm | 0.1~0.5(短辺側) 最大20 mm(長辺側)※長尺品のみ |
ウェーハ貼り替え精度 X/Y方向 (フレームマウント) |
mm | ±2.5 |
ウェーハ貼り替え精度 θ方向 (フレームマウント) |
° | ±3° |
装置寸法(W × D × H) | mm | 718 × 897 × 1,608 (表示灯含まず) |
装置質量 | kg | 約450 |
※ ご使用にあたっては、あらかじめ標準仕様書をご確認下さい。
※ 各事項、および仕様は改良のため、断りなく変更することがあります。
ご質問・ご相談等ございましたら、お気軽にお問い合わせ下さい。