加工对象: Silicon wafer, etc
UltraPoligrind采用超细微钻石磨粒,相比 Poligrind 可实现更低的研削损伤和更高的抗弯强度。此外, UltraPoligrind 在消除晶圆应力工艺的同时,仍可维持外质吸杂效果。由于是不使用化学物质的一般研削加工,既可减轻环境负荷,又能以简便的操作实现薄片研削。
UltraPoligrind研削的晶圆损伤层比Poligrind研削的损伤层有大幅度地减少。
于研磨后的镜面晶圆经强制污染后从反面析出的Cu浓度高于1.0E11的结果相比, 用UltraPoligrind 研削后的晶圆从反面析出的Cu浓度却低于检出下限值, 由此可知 UltraPoligrind 具有更好的外质吸杂效果。
为了定量测定外质吸杂效果, 将经过Cu强制污染的样本以350 ℃加热3小时后,使用TXRF(全反射式X光荧光光谱仪)进行分析。以 UltraPoligrind 的研磨晶圆为例, 研磨面经过Cu强制污染并扩散后,使用TXRF分析反面(镜面)析出的Cu量。
※ 0.5E10 atoms/cm2以下为检出极限。
UltraPoligrind 的使用注意事项
为了获得更好的加工品质,需要重新设定最佳加工条件。为此本公司的应用技术工程师将会根据具体的加工物和加工要求,竭诚为客户提供最佳加工方案。
下订单时
在下订单时,请用户将产品型号名称、各种尺寸等资讯及所需数量通知本公司。另外在初次订购时,本公司销售窗口会根据不同加工要求,协助用户选择合适的产品。届时请提供切割材料、尺寸、形状、及使用设备之型号等相关资讯。
※ 为了改进产品,本公司可能在未通知用户的情況下,就对产品规格进行变更,因此请仔细核对规格后再下订单。
为了安全使用本公司的各种产品
为了预防发生因研削磨轮、切割刀片(以下通称精密加工冶具)的破损而造成的各种事故和人身伤害,请严格遵守下列各注意事项。