加工對象: Silicon wafer, etc
UltraPoligrind采用超細微鑽石磨粒,相比 Poligrind 可實現更低的研削損傷和更高的抗彎強度。此外, UltraPoligrind 在消除晶圓應力工藝的同時,仍可維持外質吸雜效果。并且,是不使用化學物質的一般研削加工,既可減輕環境負荷、又可實現簡便的薄片研削操作。
UltraPoligrind研削的晶圓損傷層和Poligrind磨輪相較,有大幅度地減少。
與鏡面晶圓經強制污染後從反面析出的Cu濃度在1.0E11以上的結果相較, UltraPoligrind研磨後的晶圓從反面析出的Cu濃度在檢出的極限值以下, 由此可知UltraPoligrind具有外質捉聚的效果。
為了定量測量外質捉聚效果, 將經過Cu強制污染的樣本以350 ℃加熱3小時後,利用TXRF(全反射式X射線螢光分析法)進行分析。以UltraPoligrind的研磨晶圓為例, 研磨面經過Cu強制污染並擴散後,使用TXRF分析反面(鏡面)析出的Cu含量。
※ Detectable range at below 0.5E10 atoms/cm2
Ultra Poligrind的使用注意事項
欲得到更佳的加工品質,需進一步將加工參數最佳化。為此本公司的應用技術工程師可配合加工物和要求精度,提供最佳的方案。
下訂單時
在下訂單時,請用戶將產品型號名稱、各種尺寸等資訊及所需數量通知本公司。另外在初次訂購時,本公司銷售窗口會根據不同加工要求,協助用戶選擇合適的產品。屆時請提供切割材料、尺寸、形狀、及使用設備之型號等相關資訊。
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為了安全使用本公司的各種產品
為了預防發生因研削磨輪、切割刀片(以下通稱精密加工治具)的破損而造成的各種事故和人身傷害,請嚴格遵守下列各注意事項。