可实现对隐形切割加工后在内部形成变质层的晶圆进行高品质的芯片分割。
特别有效于使用隐形切割加工小型芯片的场合。
通过为小芯片的分割而开发的热扩工作盘以及FIR(Far Infrared/远红外线)加热器,使小芯片也可保持足够宽度的切痕。
通过搭载4个FIR加热器,提高胶膜的收缩性能,实现小芯片分割生产效率的提高
通过采用冷扩片方式,不仅对小芯片分割,而且对DAF分割,都能实施稳定的分割。
通过热收缩可消除扩展后在切割胶带外围所产生的松弛。不必重新贴换胶膜,可直接将胶膜框架送往贴片工序(die bonding process)。
Specification | Unit | ||
---|---|---|---|
Max. workpiece size | mm | Φ300 | |
Cooler stage | Temperature setting range | ℃ | 0 or -5 (fixed) (setting when shipped from the Plant) |
Max. upthrust amount | mm | 30 | |
Upthrust amount setting range | mm | 0~30 (step 0.001) | |
Max. upthrust speed | mm/s | 400 | |
Upthrust speed setting range | mm/s | 0.001 ~ 400 (step 0.001) | |
Heat shrink stage | Temperature setting range | ℃ | 400 ~ 600 |
Max. upthrust amount | mm | 20 | |
Upthrust amount setting range | mm | 0 ~ 20 (step 0.001) | |
Max. up thrust speed | mm/s | 50 | |
Upthrust speed setting range | mm/s | 0.001 ~ 50 (step 0.001) | |
Equipment dimensions (W×D×H) | mm | 1,200 × 1,800 × 1,955 | |
Equipment weight | kg | Approx.1,000 |
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※使用时,请先确认标准规格书。