研磨

減薄精加工研磨

近年,隨著在手提電話等數位式，移動式小型電器中SiP（System in Package）等電子元件的使用日趨普及，在保持高良率的條件下，針對厚度在100 µm以下晶片的減薄精加工研磨技術正在日益受到市場的矚目。迪思科公司通過對各種各樣的設備，磨具以及研磨條件進行不同的組合，能夠向客戶提供最符合要求的加工條件。 在這裡將向大家介紹迪思科公司最新開發的減薄精加工研磨技術。

TAIKO^®製程

TAIKO製程，與以往的背面研磨不同，在對晶圓進行研磨時保留晶圓外圍的邊緣部份(約3 mm左右)，只對圓內進行研磨薄型化之技術。

SiC, 碳化矽晶圓的研磨

SiC晶圓（silicon carbide、碳化矽）屬耐高壓、低電力損耗的半導體材料、常被使用於功率元件。 碳化矽功率元件一般擁有縱向元件結構，透過將晶圓薄化可減低基板帶來的阻抗並提高能量轉化效率。 但因碳化矽的硬度較傳統矽晶圓高，屬難切削材料，故碳化矽在薄化上需要專屬的製程以及研磨輪。