由於可對隱形切割加工後的晶圓進行高良率、高產能的分割,因此只要一台機器便可對應擴片(Expand)和分裂(Breaking)作業。
※將雷射光聚焦在工作物內部產生變質層,再利用膠帶擴片等方法進行晶圓分割的切割方法。可有效縮減 IC Tag 或 Line Sensor 等小晶粒、長晶粒等產品元件的切割道寬度。
透過採用不受限晶粒尺寸,可以以一定速度進行晶圓分割的Scan Breaking,相較與每條切割線都需停止才能進行分割的三點式Breaking,可縮短分割的時間。
晶圓 | Φ8 inch ,厚度 0.1 mm |
Si晶粒尺寸 | 0.5 × 0.5 mm |
※數值為本公司的實測值
※加工時間為列舉的範例,在不同條件下結果會有所不同
規格 | 單位 | |
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最大工作物尺寸 | - | Φ8 inch |
對應晶片尺寸 | mm | 0.1~0.5(短邊) 最大20 mm(長邊)※僅限長產品 |
晶片轉貼精度 X/Y方向(鐵圈轉貼) | mm | ±2.5 |
晶片轉貼精度 θ方向(鐵圈轉貼) | ° | ±3° |
機台尺寸(W×D×H) | mm | 718 × 897 × 1,608 (不含指示燈) |
機台重量 | kg | 約450 |
※為了改善,機器的外觀,特征,規格等,本公司可能在未預先通知用戶的情況下實施變更,敬請見諒。
※使用時,請先確認標准規格書。