SiC디바이스 웨이퍼의 그라인딩
솔루션
SiC웨이퍼（silicon carbide、질화 규소）는 고내압, 저전력 손실의 반도체 재료로서 파워 디바이스에 사용되고 있습니다. SiC파워 디바이스는 일반적으로 세로형 디바이스 구조를 가지고 있으며, 웨이퍼가 얇아지는 현상으로 인하여 기판 저항이 내려감으로서 에너지 변환 효율이 향상됩니다. 하지만 SiC는Si와 비교하여 경도가 높은 난삭제로 알려져있으며 얇아지기 위해서는 전용 어플리케이션 및 휠이 필요합니다.
SiC가 얇아지는 프로세스 예시
2축 가공
러프 그라인딩/마무리 그라인딩의 2축 그라인딩 프로세스
4축 가공으로 인한 생산성향상
가공시간을 율속하여 러프 그라인딩을 분산시키는 생산성 향상을 중요시한 프로세스
드라이 폴리싱으로 인한 품질 향상
2축 그라인딩 후 드라이폴리싱을 실행하는 품질 향상을 중요시한 프로세스
SiC웨이퍼 가공 예시
SiC웨이퍼 표면 상태 비교（SEM이미지）
표준적인 조건으로 가공했을 경우의 웨이퍼 표면상태 비교입니다.
러프 그라인딩, 마무리 그라인딩, 드라이폴리싱 순서로 표면상태가 좋아는 것을 확인할 수 있습니다.
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러프 그라인딩 후
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마무리 그라인딩 후
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드라이폴리싱 후
SiC웨이퍼의 항절강도 비교
표준적인 조건으로 가공했을 경우의 마무리 연삭 후 와 드라이폴리싱 후의 항절강도 비교입니다.
드라이폴리싱 후는 항절강도 비교가 한격히 향상된 것을 확인할 수 있습니다.
항절강도는 웨이퍼나 가공조건에 따라 달라질 가능성이 있습니다.
| 측정 조건: | |
| 가공 웨이퍼 | 6-inch SiC wafer |
| 마무리 | 0.15 mm |
| 칩 사이즈 | 10 mm × 10 mm |
| 측정방법 | 구항절식 측정 |
추천 휠
SiC웨이퍼 향 그라인딩 휠 「GFSC Series」
SiC는 경도가 높으며 고품위한 안정 연삭가공이 어렵기 때문에 연삭성이 높은 그라인딩휠이 요구됩니다.
GFSC Series는 SiC웨이퍼의 러프 그라인딩/마무리 그라인딩에 있어 연삭에 부담의 경감으로 인하여 안정된 가공을 실현하여 가공 품질이나 휠 라이프의 향상이 기대됩니다.
SiC웨이퍼 대응 가공장비
고객님의 요구사항의 생산성과 가공 품질에 맞춰 다양한 장비의 라인업을 갖추고 있습니다.
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