加工对象: Silicon wafer, Compound semiconductor wafers (GaAs, GaP, etc.), Oxide wafers (LiTaO3, etc.), etc
运用新开发的集中度控制技术,开发出了5个等级的集中度系列产品。通过集中度的细分化,兼备了加工品质高(特别是背面崩缺-chipping)和使用寿命长的新型切割刀片。
在切割加工中,集中度※会影响到磨粒层的消耗速度(使用寿命)以及加工品质(崩缺-chipping尺寸),通过集中度的高精度控制技术,使切割刀片消耗量及加工品质更趋于稳定。
※ 集中度是指在切割刀片中,金刚石(钻石)磨粒所占有的体积比例值。
例如,集中度100就是表示金刚石(钻石)磨粒所占的体积为25 %。
ZH05扩大了集中度的选择范围,可更加准确地满足用户的各种加工需求。此外,还有望缩短预切割时间。
Workpiece | Φ6” Si+Oxide layer |
Depth | 400 µm (full cut) |
Feed speed | 60 mm/s |
Spindle revolution | 30,000 min-1 |
Workpiece | Φ6” Si |
Depth | 400 µm (full cut) |
Feed speed | 10, 20, 30 mm/s(each of 10lines) 40, 50 mm/s(each of 20lines) 60 mm/s(each of 130lines) |
Spindle revolution | 30,000 min-1 |
在标准轮毂刀片中,刀片侧面的刀座侧可以看到轻微圆周状的纹路。
本公司内部的评价中,确认了该纹路不会影响加工质量
客户加工中如有疑问或不安,可以选择没有圆周纹路的“-K规格”
下订单时
在下订单时,请用户将产品型号名称、各种尺寸等资讯及所需数量通知本公司。另外在初次订购时,本公司销售窗口会根据不同加工要求,协助用户选择合适的产品。届时请提供切割材料、尺寸、形状、及使用设备之型号等相关资讯。
※ 为了改进产品,本公司可能在未通知用户的情況下,就对产品规格进行变更,因此请仔细核对规格后再下订单。
为了安全使用本公司的各种产品
为了预防发生因研削磨轮、切割刀片(以下通称精密加工冶具)的破损而造成的各种事故和人身伤害,请严格遵守下列各注意事项。