ZH05 SERIESElectroformed Bond Hub Blades
透過高精度的集中度控制技術，提供穩定的加工品質
- 電鑄結合劑
加工對象: Silicon wafer, Compound semiconductor wafers (GaAs, GaP, etc.), Oxide wafers (LiTaO3, etc.), etc
運用新開發的集中度控制技術，開發出5個等級的集中度系列產品。透過集中度的細分化，您可使用到兼具了加工品質（特别是背面崩缺）和使用壽命的新型切割刀片。
- 可滿足多樣化加工需求的5個不同等级集中度的系列產品
- 縮短預切割時間，並採用了降低晶粒飛濺及破損的技術。
集中度範圍
在切割加工中，集中度※會影響研磨顆粒的磨耗量（使用壽命），透過集中度的高精度控制，可使切割刀片磨耗量及加工品質更趨於穩定。
※集中度是指在切割刀片中，鑽石研磨顆粒所占有的體積比例值。
例如，集中度100指的是，研磨顆粒所占體積為25 %的狀態。
實驗結果
ZH05因為增加了集中度的選項，可更加準確地滿足用戶的各種不同的加工需求。此外，還可望縮短預切割時間。
磨耗量和背面崩缺的關係
| Workpiece | Φ6” Si+Oxide layer |
| Depth | 400 µm (full cut) |
| Feed speed | 60 mm/s |
| Spindle revolution | 30,000 min-1 |
縮短預切割的效果
| Workpiece | Φ6” Si |
| Depth | 400 µm (full cut) |
| Feed speed | 10, 20, 30 mm/s（each of 10lines） 40, 50 mm/s（each of 20lines） 60 mm/s（each of 130lines） |
| Spindle revolution | 30,000 min-1 |
规格
-K規格（刀片的側面狀態更加均等的規格）
從刀座側觀察標準規格的輪轂型切割刀片，可以看見刀片側面有輕微的圓周狀紋路。
在公司內部的實驗中，確認這種圓周狀紋路不會影響加工品質。
如果客戶仍對加工品質有疑慮，可以選擇沒有圓周狀紋路的「-K」規格
ZH05 SERIESElectroformed Bond Hub Blades
下訂單時
在下訂單時，請用戶將產品型號名稱、各種尺寸等資訊及所需數量通知本公司。另外在初次訂購時，本公司銷售窗口會根據不同加工要求，協助用戶選擇合適的產品。屆時請提供切割材料、尺寸、形狀、及使用設備之型號等相關資訊。
※ 為了改進產品，本公司可能在未通知用戶的情況下，就對產品規格進行變更，因此請仔細核對規格後再下訂單。
為了安全使用本公司的各種產品
為了預防發生因研削磨輪、切割刀片(以下通稱精密加工治具)的破損而造成的各種事故和人身傷害，請嚴格遵守下列各注意事項。
- 請使用安全擋板（包括噴嘴外殼或外蓋）。
- 在使用注有限制旋轉數的精密加工治具時，請不要超出其規定的旋轉數範圍。
- 在安裝精密加工治具時，請遵照設備（裝置）使用說明書的規定，正確地進行安裝。
- 請不要使精密加工治具掉落在地上，或發生碰撞。
- 在每次使用精密加工治具前必須先進行檢查，如果有缺口或其他破損，請停止使用。
- 在開始使用前，請先仔細閱讀相關設備（裝置） 的使用說明書。
- 請不要使用經過改裝的設備（裝置）。
- 請不要使用不符合設備（裝置） 指定尺寸的精密加工治具。
- 除了研削、切割及切削作業以外，請不要使用在其他用途。
- 在使用濕式研削、切割用精密加工治具時，請使用冷卻液。